CF4等离子体表面氟化PTMSP膜

本文对聚三甲基硅基丙炔(PTMSP)膜进行CF_4等离子体表面氟化研究。改性的PTMSP膜氧氮选择性显著提高(P_(O_2)/P_(N_2)=4-5,P_(O_2)=10~2-10~3barrer)。等离子体改性条件,如处理时间、单体压力、放电功率对PTMSP膜透气性的影响进行了研究。XPS谱分析表明改性后,膜表层化学组成发生了显著变化、碳硅含量大幅度减小,氟含量随着处理程度的增加而增加,氟碳比与膜的选择性有着密切的关系,当 F/C>1时,膜的P_(O_2)/P_(N_2)可达4以上。