煅烧温度对TiO2/Si光电效应的影响

采用溶胶-凝胶法在P-型单晶硅的表面镀上一层TiO2薄膜,并在200-900℃下煅烧得到TiO2/Si复合材料.研究结果发现,经不同温度煅烧得到的TiO2/Si复合材料中TiO2的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同,其光电响应特性亦不同.经400℃煅烧得到的复合材料的光电压最强,相对于单晶硅约提高了3个数量级.