%0 Journal Article
%T 煅烧温度对TiO2/Si光电效应的影响
%A 陈顺玉
%A 李旦振
%A 付贤智
%A 刘平
%J 福州大学学报(自然科学版)
%D 2001
%X 采用溶胶-凝胶法在P-型单晶硅的表面镀上一层TiO2薄膜,并在200-900℃下煅烧得到TiO2/Si复合材料.研究结果发现,经不同温度煅烧得到的TiO2/Si复合材料中TiO2的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同,其光电响应特性亦不同.经400℃煅烧得到的复合材料的光电压最强,相对于单晶硅约提高了3个数量级.
%K 溶胶-凝胶法
%K TiO2/Si
%K 煅烧温度
%K 光电效应
%U http://xbzrb.fzu.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200106184&flag=1