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, PP. 268-271
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热电器件的理论分析指出[1,2],减薄晶片厚度将提高器件性能,从而导致对减薄技术的广泛研究,其中有激光蒸发T.G.S.[3],高频溅射ZnO[4],PZT[5]等等,而最好的热电材料之——LiTaO3已报道用离子束研磨、高频溅射、滚轧淬火等方法获得单晶或多晶薄膜。
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