低通量慢中子在YBCO系列高T_c超导体里的辐照效应
, PP. 595-595
Keywords: 低通量慢中子,高T_c超导体,辐照感生缺陷,钉扎中心,位错环
Abstract:
在非理想第Ⅱ类超导体里,临界电流密度J_c因结构缺陷的变化而变化,而且对缺陷的浓度很敏感。中子辐照是一种可控的在样品内增加缺陷浓度的有效方法。不少实验已经证明,适量的中子辐照可以较大幅度地提高YBa_2Cu_3O_(7-8)(YBCO)系列高T_c超导体(HTSC)的J_c和临界温度T_c。此外,中子辐照也是探索超导电性机理的途径之一。理论和应用上
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