%0 Journal Article
%T 低通量慢中子在YBCO系列高T_c超导体里的辐照效应
%A 金继荣
%J 科学通报
%P 595-595
%D 1992
%X 在非理想第Ⅱ类超导体里,临界电流密度J_c因结构缺陷的变化而变化,而且对缺陷的浓度很敏感。中子辐照是一种可控的在样品内增加缺陷浓度的有效方法。不少实验已经证明,适量的中子辐照可以较大幅度地提高YBa_2Cu_3O_(7-8)(YBCO)系列高T_c超导体(HTSC)的J_c和临界温度T_c。此外,中子辐照也是探索超导电性机理的途径之一。理论和应用上
%K 低通量慢中子
%K 高T_c超导体
%K 辐照感生缺陷
%K 钉扎中心
%K 位错环
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract361765.shtml