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ISSN: 2333-9721
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科学通报  1992 

中子辐照CZ硅中缺陷的光致发光研究

, PP. 1051-1051

Keywords: 中子辐照,CZ硅,亚稳态缺陷

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Abstract:

一、引言近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的生成。目前,光致发光(PL)作为表征半导体材料的一种有效手段得到了广泛的应用。研究光致发光谱可认识材料的一系列物理过程和性质,还可获得有关局域态的知识,

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