%0 Journal Article
%T 中子辐照CZ硅中缺陷的光致发光研究
%A 李伟
%J 科学通报
%P 1051-1051
%D 1992
%X 一、引言近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的生成。目前,光致发光(PL)作为表征半导体材料的一种有效手段得到了广泛的应用。研究光致发光谱可认识材料的一系列物理过程和性质,还可获得有关局域态的知识,
%K 中子辐照
%K CZ硅
%K 亚稳态缺陷
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract361169.shtml