在冷轧的Ni基底上沉积CeO2缓冲层

在有和无离子束辅助两种情形下,在冷轧Ni基底上制备了CeO2薄膜,结果表明,无离子束辅助沉积时,薄膜表现出(111)取向,在离子能量为240eV、束流为200μA/cm2、基片温度为360℃的条件下沉积的CeO2薄膜呈现出良好的(002)外延取向和平面内织构