%0 Journal Article
%T 在冷轧的Ni基底上沉积CeO2缓冲层
%A 王荣平
%A 熊旭明
%A 郭向欣
%A 周岳亮
%A 吕惠宾
%A 潘少华
%A 陈正豪
%A 杨国桢
%J 科学通报
%P 1277-1281
%D 1998
%X 在有和无离子束辅助两种情形下,在冷轧Ni基底上制备了CeO2薄膜,结果表明,无离子束辅助沉积时,薄膜表现出(111)取向,在离子能量为240eV、束流为200μA/cm2、基片温度为360℃的条件下沉积的CeO2薄膜呈现出良好的(002)外延取向和平面内织构
%K CeO2
%K 缓冲层
%K 冷轧Ni基底
%K 离子束辅助脉冲激光沉积
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract365549.shtml