Au-Pt-Ni/p-InP新的低欧姆接触电极
, PP. 2167-2170
Keywords: 磁控溅射,快速热退火,比接触电阻,AES深度剖面分析
Abstract:
用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au-Pt-Ni/p-InP(1～2×1018cm-3),在400℃30s的退火条件下,实现了比接触电阻低达3×10-6Ω·cm2的欧姆接触.对不同温度(300～500℃)退火的Au-Pt-Ni/p-InP欧姆接触所做的AES深度剖面分析揭示了Pt膜层阻挡Au的内扩散和InP外扩散的作用.
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