%0 Journal Article
%T Au-Pt-Ni/p-InP新的低欧姆接触电极
%A 李秉臣
%A 彭晔
%A 李建中
%J 科学通报
%P 2167-2170
%D 1998
%X 用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au-Pt-Ni/p-InP(1～2×1018cm-3),在400℃30s的退火条件下,实现了比接触电阻低达3×10-6Ω·cm2的欧姆接触.对不同温度(300～500℃)退火的Au-Pt-Ni/p-InP欧姆接触所做的AES深度剖面分析揭示了Pt膜层阻挡Au的内扩散和InP外扩散的作用.
%K 磁控溅射
%K 快速热退火
%K 比接触电阻
%K AES深度剖面分析
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract365813.shtml