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科学通报 2001
CeO2/Si薄膜PL谱的“紫移”, PP. 1511-1513 Abstract: 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100nm,折射系数约为2.455.实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着“紫移”现象,其移动距离约为65nm.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关.当Ce离子价态发生Ce4+？Ce3+变化时，其PL谱峰们要从蓝光区向紫光区移动,出现发光峰“紫移”现象.
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