%0 Journal Article
%T CeO2/Si薄膜PL谱的“紫移”
%A 柴春林
%A 杨少延
%A 刘志凯
%A 廖梅勇
%A 陈诺夫
%A 王占国
%J 科学通报
%P 1511-1513
%D 2001
%X 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100nm,折射系数约为2.455.实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着“紫移”现象,其移动距离约为65nm.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关.当Ce离子价态发生Ce4+？Ce3+变化时，其PL谱峰们要从蓝光区向紫光区移动,出现发光峰“紫移”现象.
%K CeO2/Si薄膜
%K PL谱
%K “紫移”
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract367460.shtml