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科学通报 2002
室温铁磁性半导体MnxGa1-xSb, PP. 1863-1864 Keywords: MnxGa1-xSb,铁磁性,稀磁半导体 Abstract: 采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用.
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