%0 Journal Article
%T 室温铁磁性半导体MnxGa1-xSb
%A 陈诺夫
%A 张富强
%A 杨君玲
%A 刘志凯
%A 杨少延
%A 柴春林
%A 王占国
%A 胡文瑞
%A 林兰英
%J 科学通报
%P 1863-1864
%D 2002
%X 采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用.
%K MnxGa1-xSb
%K 铁磁性
%K 稀磁半导体
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract368096.shtml