直波导耦合输出AlGaInAs多量子阱环形激光器研究

采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱半导体环形激光器样品.该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射,然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出.环形谐振腔直径为700μm,波导宽度为3？μm.用光纤对准直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱,其阈值电流为120mA,在注入电流160mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602nm,并结合光功率-电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析.