%0 Journal Article
%T 直波导耦合输出AlGaInAs多量子阱环形激光器研究
%A 李献杰
%A 齐利芳
%A 郭维廉
%A 于晋龙
%A 赵永林
%A 蔡道民
%A 尹顺政
%A 毛陆虹
%J 科学通报
%P 3088-3091
%D 2009
%X 采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱半导体环形激光器样品.该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射,然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出.环形谐振腔直径为700μm,波导宽度为3？μm.用光纤对准直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱,其阈值电流为120mA,在注入电流160mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602nm,并结合光功率-电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析.
%K 多量子阱
%K 环形激光器
%K 直波导
%K 双稳态
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract414900.shtml