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科学通报 2009
MOCVD反应器中流场和热场的数值研究, PP. 3270-3277 Keywords: 晶体外延生长,MOCVD反应器,输运过程,热流场 Abstract: 利用二维动力学模型,通过变化MOCVD(metalorganicchemicalvapordeposition)反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化,描述了输运过程中产生的多种流动现象,并给出了相应的分析与说明.在此基础上,通过微扰反应器的进气量,计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为,分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因,为高品质外延生长工艺的设计与实施,提供了有益的解决途径.
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