%0 Journal Article
%T MOCVD反应器中流场和热场的数值研究
%A 钟树泉
%A 任晓敏
%A 黄永清
%A 王琦
%A 黄辉
%J 科学通报
%P 3270-3277
%D 2009
%X 利用二维动力学模型,通过变化MOCVD(metalorganicchemicalvapordeposition)反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化,描述了输运过程中产生的多种流动现象,并给出了相应的分析与说明.在此基础上,通过微扰反应器的进气量,计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为,分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因,为高品质外延生长工艺的设计与实施,提供了有益的解决途径.
%K 晶体外延生长
%K MOCVD反应器
%K 输运过程
%K 热流场
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract415461.shtml