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科学通报 2002
磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响, PP. 978-980 Keywords: SiO,2/Ta界面,界面反应,X射线光电子能谱 Abstract: 磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层.利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜.采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析.结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应15SiO2+37Ta=6Ta2O5+5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.
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