%0 Journal Article
%T 磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响
%A 于广华
%A 马纪东
%A 朱逢吾
%A 柴春林
%J 科学通报
%P 978-980
%D 2002
%X 磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层.利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜.采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析.结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应15SiO2+37Ta=6Ta2O5+5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.
%K SiO
%K 2/Ta界面
%K 界面反应
%K X射线光电子能谱
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract367857.shtml