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科学通报 2003
焙烧对二氧化硅胶体晶体薄膜光学特性的影响, PP. 2120-2122 Keywords: 胶体晶体薄膜,光学特性,垂直沉积法,二氧化硅,焙烧 Abstract: 以垂直沉积法(verticaldepositionmethod)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜,并将其在不同温度下进行了焙烧.通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态和在400℃,800℃焙烧后的SiO2胶体晶体薄膜进行了表征.结果表明,样品在较大范围内保持单晶密排有序结构,而且无断裂现象发生.经400℃和800℃焙烧3h后衍射峰发生很小的蓝移,而衍射峰的幅值和半峰宽度却发生了显著变化.
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