%0 Journal Article %T 焙烧对二氧化硅胶体晶体薄膜光学特性的影响 %A 汪静 %A 李康 %A 袁春伟 %J 科学通报 %P 2120-2122 %D 2003 %X 以垂直沉积法(verticaldepositionmethod)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜,并将其在不同温度下进行了焙烧.通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态和在400℃,800℃焙烧后的SiO2胶体晶体薄膜进行了表征.结果表明,样品在较大范围内保持单晶密排有序结构,而且无断裂现象发生.经400℃和800℃焙烧3h后衍射峰发生很小的蓝移,而衍射峰的幅值和半峰宽度却发生了显著变化. %K 胶体晶体薄膜 %K 光学特性 %K 垂直沉积法 %K 二氧化硅 %K 焙烧 %U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract368515.shtml