%0 Journal Article
%T 焙烧对二氧化硅胶体晶体薄膜光学特性的影响
%A 汪静
%A 李康
%A 袁春伟
%J 科学通报
%P 2120-2122
%D 2003
%X 以垂直沉积法(verticaldepositionmethod)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜,并将其在不同温度下进行了焙烧.通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态和在400℃,800℃焙烧后的SiO2胶体晶体薄膜进行了表征.结果表明,样品在较大范围内保持单晶密排有序结构,而且无断裂现象发生.经400℃和800℃焙烧3h后衍射峰发生很小的蓝移,而衍射峰的幅值和半峰宽度却发生了显著变化.
%K 胶体晶体薄膜
%K 光学特性
%K 垂直沉积法
%K 二氧化硅
%K 焙烧
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract368515.shtml