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ISSN: 2333-9721
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科学通报  2005 

低纯Gd制备Gd5Si2Ge2的结构与磁热性能

, PP. 2043-2045

Keywords: 磁致冷材料,Gd5Si2Ge2,一级相变,磁热性能

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Abstract:

以低纯度普通商业纯Gd(99%)为原料制备Gd5Si2Ge2合金,研究了低纯Gd5Si2Ge2合金的相组成、磁相变特征和磁热性能.粉末X-射线衍射和磁性测量结果表明,经1200℃,1h退火处理后,低纯Gd5Si2Ge2合金具有Gd5Si2Ge2型主相、在268K存在一级磁晶相变.据磁相变温度附近的磁化曲线计算,低纯Gd5Si2Ge2合金在5T磁场变化下的最大磁熵变为17.55J·Kg-1·K-1,具有巨磁热效应.

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