%0 Journal Article
%T 低纯Gd制备Gd5Si2Ge2的结构与磁热性能
%A 张铁邦
%A 陈云贵
%A 付浩
%A 滕保华
%A 唐永柏
%A 涂铭旌
%J 科学通报
%P 2043-2045
%D 2005
%X 以低纯度普通商业纯Gd(99%)为原料制备Gd5Si2Ge2合金,研究了低纯Gd5Si2Ge2合金的相组成、磁相变特征和磁热性能.粉末X-射线衍射和磁性测量结果表明,经1200℃,1h退火处理后,低纯Gd5Si2Ge2合金具有Gd5Si2Ge2型主相、在268K存在一级磁晶相变.据磁相变温度附近的磁化曲线计算,低纯Gd5Si2Ge2合金在5T磁场变化下的最大磁熵变为17.55J·Kg-1·K-1,具有巨磁热效应.
%K 磁致冷材料
%K Gd5Si2Ge2
%K 一级相变
%K 磁热性能
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract369511.shtml