氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40~160nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363nm的紫外光发射和422nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.