%0 Journal Article
%T 氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线
%A 薛成山
%A 吴玉新
%A 庄惠照
%A 田德恒
%A 刘亦安
%A 何建廷
%A 艾玉杰
%A 孙莉莉
%A 王福学
%J 科学通报
%P 1500-1503
%D 2006
%X 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40~160nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363nm的紫外光发射和422nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
%K 磁控溅射
%K 氮化镓纳米线
%K 光致发光
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract370237.shtml