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科学通报 2008
利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件, PP. 593-597 Keywords: 电子束光刻,应变高电子迁移率晶体管,T型栅,电流增益截止频率 Abstract: 电子束光刻(electronbeamlithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能,电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
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