%0 Journal Article
%T 利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件
%A 徐静波
%A 张海英
%A 王文新
%A 刘亮
%A 黎明
%A 付晓君
%A 牛洁斌
%A 叶甜春
%J 科学通报
%P 593-597
%D 2008
%X 电子束光刻(electronbeamlithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能,电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
%K 电子束光刻
%K 应变高电子迁移率晶体管
%K T型栅
%K 电流增益截止频率
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract370950.shtml