非等温耦合模型下大功率LED特性的研究

本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明;芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)区域;且靠近p-GaN的第一个量子阱(QW)内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大;而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小;可忽略。等温模型与非等温模型的对比表明;在大电流或低冷却能力条件下;芯片内部与芯片衬底温差显著;等温模型无法准确预测芯片性能;需采用非等温模型。