%0 Journal Article
%T 非等温耦合模型下大功率LED特性的研究
%A 王天虎
%A 王晓东
%A 徐进良
%J 工程热物理学报
%P 647-650
%D 2012
%X 本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明;芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)区域;且靠近p-GaN的第一个量子阱(QW)内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大;而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小;可忽略。等温模型与非等温模型的对比表明;在大电流或低冷却能力条件下;芯片内部与芯片衬底温差显著;等温模型无法准确预测芯片性能;需采用非等温模型。
%K 发光二极管
%K 多量子阱
%K 内量子效率
%U http://jetp.iet.cn/CN/abstract/abstract6484.shtml