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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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低温高压条件下裂解聚吡咙薄膜导电性的初步研究
DOI: 10.11858/gywlxb.1997.01.001, PP. 1-7
Keywords: 裂解温度,聚吡咙,跃迁势,莫特模型
Abstract:
通过对裂解聚吡咙（PMDA-DAB）薄膜导电性环境温度、裂解温度及压力关系的研究表明：其室温导电率随所加压力与裂解温度的升高而增加。电导与温度的依赖行为有赖于裂解温度Tp及所加的压力在Tp800℃时，石墨化过程产物则比较符合修正的三维变程跃迁模型。最大的导电率是在裂解温度为1200℃的裂解产物上在1.05GPa压力下获得的，数值约1000S/cm，电导与压力的关系能较好地符合所改进的扩展莫特关系。
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