%0 Journal Article
%T 低温高压条件下裂解聚吡咙薄膜导电性的初步研究
%A 刘振兴
%A 张殿琳
%A 朴明俊
%A 万梅香
%A 卢凤才
%J 高压物理学报
%P 1-7
%D 1997
%R 10.11858/gywlxb.1997.01.001
%X 通过对裂解聚吡咙（PMDA-DAB）薄膜导电性环境温度、裂解温度及压力关系的研究表明：其室温导电率随所加压力与裂解温度的升高而增加。电导与温度的依赖行为有赖于裂解温度Tp及所加的压力在Tp800℃时，石墨化过程产物则比较符合修正的三维变程跃迁模型。最大的导电率是在裂解温度为1200℃的裂解产物上在1.05GPa压力下获得的，数值约1000S/cm，电导与压力的关系能较好地符合所改进的扩展莫特关系。
%K 裂解温度
%K 聚吡咙
%K 跃迁势
%K 莫特模型
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract913.shtml