MoSi2能隙的高压调制
DOI: 10.11858/gywlxb.1994.03.007, PP. 200-204
Keywords: LMTO-ASA方法,电子结构,高压
Abstract:
采用LMTO-ASA方法，对过渡金属MoSi2在高压下的电子结构性质进行了研究，计算中考虑了除自旋-轨道耦合外的所有相对论效应。结果表明：随着压缩度增加，MoSi2小的能隙变宽，Mo的d电子与Si的p电子杂化增强，原子间相互作用增大，晶体在高压下更加紧密结合。这一能隙随压力增大而增大的结果，与非导体在高压下金属化的特性相反。
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