%0 Journal Article
%T MoSi2能隙的高压调制
%A 张海峰
%A 李永平
%A 黄新堂
%J 高压物理学报
%P 200-204
%D 1994
%R 10.11858/gywlxb.1994.03.007
%X 采用LMTO-ASA方法，对过渡金属MoSi2在高压下的电子结构性质进行了研究，计算中考虑了除自旋-轨道耦合外的所有相对论效应。结果表明：随着压缩度增加，MoSi2小的能隙变宽，Mo的d电子与Si的p电子杂化增强，原子间相互作用增大，晶体在高压下更加紧密结合。这一能隙随压力增大而增大的结果，与非导体在高压下金属化的特性相反。
%K LMTO-ASA方法
%K 电子结构
%K 高压
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract1039.shtml