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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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几种半导体在高压下的金属化相变
DOI: 10.11858/gywlxb.1996.01.008, PP. 50-55
鲍忠兴, Tu, C, S, Anderson, J, R, Schmidt, V, H, Pinto, N, J
Keywords: 半导体,金属化相变,电阻测量
Abstract:
在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻测量方法，研究了半导体InP0.97As0.03、InP0.5As0.5、Ga0.76In0.24As和Ga0.24In0.76As在室温下、16GPa内的电阻与压力的关系。工作中，对测量技术进行了一些改进，采用微机进行测量控制和数据记录。实验结果表明，这些样品在测量的压力范围内，均发生了金属化相变。它们的相变压力分别为：10.3、9.7、13.5~14.6和10~10.4GPa左右。这些实验结果在过去发表的文章中未见报导过。
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