%0 Journal Article
%T 几种半导体在高压下的金属化相变
%A 鲍忠兴
%A Tu
%A C
%A S
%A Anderson
%A J
%A R
%A Schmidt
%A V
%A H
%A Pinto
%A N
%A J
%J 高压物理学报
%P 50-55
%D 1996
%R 10.11858/gywlxb.1996.01.008
%X 在金刚石压砧装置上，采用我们建立的电阻测量方法，研究了半导体InP0.97As0.03、InP0.5As0.5、Ga0.76In0.24As和Ga0.24In0.76As在室温下、16GPa内的电阻与压力的关系。工作中，对测量技术进行了一些改进，采用微机进行测量控制和数据记录。实验结果表明，这些样品在测量的压力范围内，均发生了金属化相变。它们的相变压力分别为：10.3、9.7、13.5~14.6和10~10.4GPa左右。这些实验结果在过去发表的文章中未见报导过。
%K 半导体
%K 金属化相变
%K 电阻测量
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract970.shtml