片状立方氮化硼合成及其导电特性研究

通过控制高压腔内的温度、压力梯度合成了粒径300～500μm的片状立方氮化硼（cBN）单晶体。通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩散掺杂，获得了具有半导体导电性的立方氯化硼材料并测试了其V-A特性。