%0 Journal Article
%T 片状立方氮化硼合成及其导电特性研究
%A 张铁臣
%A 王明光
%A 郭伟力
%A 刘建亭
%A 高春晓
%A 邹广田
%J 高压物理学报
%P 168-173
%D 1998
%R 10.11858/gywlxb.1998.03.002
%X 通过控制高压腔内的温度、压力梯度合成了粒径300～500μm的片状立方氮化硼（cBN）单晶体。通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩散掺杂，获得了具有半导体导电性的立方氯化硼材料并测试了其V-A特性。
%K 合成
%K cBN
%K V-A特性
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract836.shtml