原始SiC颗粒表面及SiCP/Al复合材料界面化学状态的研究
, PP. 42-47
Keywords: 复合材料,界面,化学状态,偏聚
Abstract:
本文采用X射线光电子谱(XPS)和俄歇能谱技术(AES)对原始SiC颗粒表面和粉末冶金法制备的SiCP/Al复合材料界面的化学状态进行了研究.结果表明:原始SiC颗粒表面主要存在SiC、SiO2、游离C、吸附氧、Fe2O3等;SiCP/Al复合材料界面存在Mg偏聚和氧元素.由热力学分析可知,Mg元素能够向界面偏聚,并可能与界面处的氧反应生成MgO.
| [1] | 吕毓雄,等.金属和陶瓷界面对复合材料特性的影响.材料工程,1994,8～9:66～70
|
| [2] | 华中一,罗维昂.表面分析.上海:复旦大学出版社,1989
|
| [3] | 朱永法,等.材料表面和界面化学状态的俄歇化学效应研究.材料工程,1995,(1):17～20
|
| [4] | Ebert L J,Wright P K.Mechanical aspects of the interface.In:Metcalf A G,ed Interface Matrix Composite,Academis Press,1974
|
| [5] | Mondofo L F.Aluminium alloys:structure and properties.Butter worths 1976
|
| [6] | 叶大伦.实用无机物热力学数据手册.北京:冶金工业出版社,1981
|
Full-Text
