%0 Journal Article %T 原始SiC颗粒表面及SiCP/Al复合材料界面化学状态的研究 %A 郭宏 %A 李义春 %A 石力开 %A 张少明 %A 樊建中 %A 姚忠凯 %J 复合材料学报 %P 42-47 %D 1997 %X 本文采用X射线光电子谱(XPS)和俄歇能谱技术(AES)对原始SiC颗粒表面和粉末冶金法制备的SiCP/Al复合材料界面的化学状态进行了研究.结果表明:原始SiC颗粒表面主要存在SiC、SiO2、游离C、吸附氧、Fe2O3等;SiCP/Al复合材料界面存在Mg偏聚和氧元素.由热力学分析可知,Mg元素能够向界面偏聚,并可能与界面处的氧反应生成MgO. %K 复合材料 %K 界面 %K 化学状态 %K 偏聚 %U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract10904.shtml