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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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用聚碳硅烷为先驱体制备SiC/Si3N4纳米复相陶瓷
, PP. 13-16
Keywords: 先驱体,聚碳硅烷,原位生长法,SiC/Si3N4,纳米复相陶瓷
Abstract:
采用聚碳硅烷(PCS)为先驱体,利用原位生长法制备SiC/Si3N4纳米复相陶瓷,其室温弯曲强度和断裂韧性达到了637MPa和8.10MPa·m1/2。研究了材料微观结构的形成及断裂机理,指出在微观结构的形成过程中,控制SiC纳米微晶的生成和B-Si3N4柱状晶的生长是关键,而增韧补强的主要原因在于形成了晶内型结构和长径比大(大于7.5)的Si3N4柱状晶,从而改变了断裂机理。
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