%0 Journal Article
%T 用聚碳硅烷为先驱体制备SiC/Si3N4纳米复相陶瓷
%A 钟仁志
%A 张长瑞
%A 周新贵
%A 周安郴
%A 陈远志
%J 复合材料学报
%P 13-16
%D 1999
%X 采用聚碳硅烷(PCS)为先驱体,利用原位生长法制备SiC/Si3N4纳米复相陶瓷,其室温弯曲强度和断裂韧性达到了637MPa和8.10MPa·m1/2。研究了材料微观结构的形成及断裂机理,指出在微观结构的形成过程中,控制SiC纳米微晶的生成和B-Si3N4柱状晶的生长是关键,而增韧补强的主要原因在于形成了晶内型结构和长径比大(大于7.5)的Si3N4柱状晶,从而改变了断裂机理。
%K 先驱体
%K 聚碳硅烷
%K 原位生长法
%K SiC/Si3N4
%K 纳米复相陶瓷
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract9824.shtml