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复合材料学报 2008
2DC/SiC缺陷的无损检测与评价, PP. 85-90 Keywords: C/SiC复合材料,无损检测,抗弯强度,裂纹扩展能 Abstract: 采用化学气相渗透法制备了内置异物质缺陷的2DC/SiC复合材料,利用红外热成像、X射线照相和计算机断层扫描(工业CT)三种技术对C/SiC试样进行无损检测。研究了内置缺陷试样的三点弯曲性能。结果表明:X射线照相适用于检测试样中有明显密度差异的缺陷;红外热成像检测适用于检测材料中导热系数较差的孔洞及分层缺陷;工业CT可以检测材料的局部横截面密度差异、孔洞和分层等缺陷的细节特征。2DC/SiC材料在受弯曲载荷时,容易从内置异物质缺陷处开裂,且随该缺陷长度增加,其抗弯强度及临界裂纹扩展能降低。
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