%0 Journal Article
%T 2DC/SiC缺陷的无损检测与评价
%A 孙磊
%A 张立同
%A 梅辉
%A 赵东林
%A 成来飞
%A 徐永东
%J 复合材料学报
%P 85-90
%D 2008
%X 采用化学气相渗透法制备了内置异物质缺陷的2DC/SiC复合材料，利用红外热成像、X射线照相和计算机断层扫描（工业CT）三种技术对C/SiC试样进行无损检测。研究了内置缺陷试样的三点弯曲性能。结果表明：X射线照相适用于检测试样中有明显密度差异的缺陷；红外热成像检测适用于检测材料中导热系数较差的孔洞及分层缺陷；工业CT可以检测材料的局部横截面密度差异、孔洞和分层等缺陷的细节特征。2DC/SiC材料在受弯曲载荷时，容易从内置异物质缺陷处开裂，且随该缺陷长度增加，其抗弯强度及临界裂纹扩展能降低。
%K C/SiC复合材料
%K 无损检测
%K 抗弯强度
%K 裂纹扩展能
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract8787.shtml