全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
投递稿件

查看量下载量

相关文章

更多...

氧气通量对反应溅射法制备HfO2薄膜生长过程的影响
Effect of O2 Flux on the Growth Process of HfO2 Thin Films Deposited by Reactive Sputtering

DOI: 10.12677/CMP.2013.21003, PP. 12-16

Keywords: HfO2薄膜；射频磁控反应溅射；XPS；AFM
HfO2 Film, RF Magnetron Reactive Sputtering, XPS, AFM

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

利用金属Hf与氧气反应溅射制备了HfO2薄膜，采用X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)等手段对薄膜的组成成分以及表面形貌进行了分析表征，并从薄膜生长机理角度研究了氧气的通量对于HfO2成膜过程的影响，得到了氧气通量的增大能使HfO2薄膜的化学配比、非晶结构和表面形貌得到优化的结论。
HfO2 thin films are deposited by reactive sputtering under atmospheres composited by various ratios of oxygen and argon. The chemical composition of the HfO2 thin films is tested by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The surface morphology of the HfO2
References

[1]  谈国强, 贺中亮, 刘剑, 博海洋, 宋亚玉, 娄晶晶, 李锋娟. 二氧化铪(HfO2)薄膜制备的研究进展[J]. 陶瓷, 2009, 2: 10-12.
[2]  艾万君, 熊胜明. 单层二氧化铪(HfO2)薄膜的特性研究[J]. 光电工程, 2012, 39(2): 134-140.
[3]  马紫微, 苏玉荣, 谢毅柱, 赵海廷, 刘利新, 李健, 谢二庆. 溅射气压对HfO2薄膜结构和光学性能的影响[J]. 材料导报, 2012, 26(10): 16-18.
[4]  邵起越, 袁涛, 李爱东, 董岩, 方峰, 蒋建清, 刘治国. 新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用[J]. 功能材料, 2008, 39(4): 574-578.
[5]  邓文渊, 李春, 金春水. 电子束蒸发和离子束溅射HfO2紫外光学薄膜[J]. 中国光学与应用光学, 2010, 3(6): 630-636.
[6]  K. Hasegawa, P. Ahmet, N. Okazaki, et al. Amorphous stability of HfO2 based ternary and bi-nary composition spread oxide films as alternative gate dielectrics. Applied Surface Science, 2004, 223(1): 229-232.
[7]  何智兵, 吴卫东, 许华, 张继成, 唐永建. 不同氧氩比例对氧化铪(HfO2)薄膜的结构及性能的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(2): 159-162.
[8]  王富耻. 材料现代分析测试方法[M]. 北京: 北京理工大学出版社, 2006: 218.
[9]  M. Forker, P. de la Presa. Structure, phase transformations, and defects of HfO2 and ZrO2 nanoparticles studied by 181Ta and 111Cd perturbed angular correlations, 1H magic-angle spinning NMR, XPS, and x-ray and electron diffraction. Physical Review B, 2008, 77: Article ID: 054018.
[10]  唐伟忠. 薄膜材料制备原理、技术及应用[M]. 北京: 冶金工业出版社, 2003: 165-192.

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133