Penumbuhan Nanopartikel Nikel Dengan DC- Unbalanced Magnetron Sputtering

Nanopartikel nikel telah ditumbuhkan diatas substrat silikon dengan DC-Unbalanced Magnetron Sputtering. Parameter deposisi penumbuhan nanopartikel nikel adalah pada tekanan 4 x 10-1 Torr, suhu deposisi 150 oC, laju aliran gas Argon 77,3 sccm. Variasi waktu penumbuhan adalah 10 menit, 5 menit, 1 menit dan 15 detik. Kemudian nanopartikel nikel dianealling selama 4 jam. Karakterisasi nanopartikel nikel menggunakan Scanning Electron Microscopy (SEM), Energy Dispersive Analysis X-Ray (EDX). Diameter nanopartikel nikel mengalami penurunan seiring dengan berkurangnya waktu deposisi.