( Ni0.81Fe0.19) 1-xCrx缓冲层上生长高各向异性磁电阻Ni0.81Fe0.19薄膜的研究

用直流磁控溅射方法制备了以（Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为缓冲层的Ni.081Fe0.19薄膜，研究结果表明：当缓冲层厚度约为4.4nm,Cr的浓度约为36（原子百分数）时，Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻（AMR）值较大，其最大值达3.35%，原子力显微镜（AFM）及X射线衍射（XRD）研究表明：Ni0.81Fe0.19薄膜AMR值最大时，其表面平均晶粒尺寸最大，Ni0.81F0.19(111)衍射峰最强。