%0 Journal Article
%T ( Ni0.81Fe0.19) 1-xCrx缓冲层上生长高各向异性磁电阻Ni0.81Fe0.19薄膜的研究
%A 李海峰
%A 马纪东
%A 于广华
%A 龙世兵
%A 赵洪辰
%A 朱逢吾
%J 科学通报
%D 2003
%I 
%X 用直流磁控溅射方法制备了以（Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为缓冲层的Ni.081Fe0.19薄膜，研究结果表明：当缓冲层厚度约为4.4nm,Cr的浓度约为36（原子百分数）时，Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻（AMR）值较大，其最大值达3.35%，原子力显微镜（AFM）及X射线衍射（XRD）研究表明：Ni0.81Fe0.19薄膜AMR值最大时，其表面平均晶粒尺寸最大，Ni0.81F0.19(111)衍射峰最强。
%K Ni0.81Fe0.19薄膜
%K 直流磁控溅射法
%K 薄膜结构
%K （Ni0.81Fe0.19）1－xCrx缓冲层
%K 各向异性磁电阻
%K 晶粒尺寸
%K Ni0.81Fe0.19（111）衍射峰
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=ED2660310B8CE9BD&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B6DA1AC076E37400&iid=94C357A881DFC066&sid=6B3068A7C27BD349&eid=5335AD3CFE6E14EA&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=4&reference_num=7